AMR 센서 자석

AMR 센서 자석은 위치, 속도 또는 회전을 감지하기 위해 이방성 자기 저항(AMR) 센서와 함께 사용되는-고정밀 자기 부품입니다.

일반적으로 네오디뮴 소재로 제작되는 이 자석은 안정적이고 균일한 자기장을 제공하여 센서 시스템에서 정확한 신호 출력을 보장합니다. 이는 선형 및 회전 위치를 정밀하게 측정하는 데 필수적입니다.

AMR 센서는 지자기장 범위 내의 약한 자기장을 감지할 수 있으며 내비게이션 나침반, 회전 위치 감지, 요율 감지 및 가상 현실 시스템의 궤적 추적과 같은 응용 분야에 널리 사용됩니다. 정확한 측정 성능을 얻으려면 AMR 센서를 적합한 AMR 센서 자석과 쌍을 이루어야 합니다.

AMR(이방성 자기저항) 효과는 강자성 물질(예: NiFe 및 NiCo 합금)의 전기 저항률이 전류 방향과 물질에 가해지는 외부 자기장 사이의 각도에 따라 변하는 현상입니다.

AMR 효과는 1857년 1대 켈빈 남작 윌리엄 톰슨(William Thomson)에 의해 강자성 다결정에서 발견되었습니다. 이후 1971년 AMR 효과를 기반으로 한 자기 디스크 헤드가 개발되면서 점차 주목을 받게 되었습니다.

AMR 센서의 핵심 재료는 이방성 자기에 민감한{0}}재료이며 퍼멀로이가 가장 일반적으로 사용됩니다. 퍼멀로이 박막이 실리콘 칩 표면에 증착되면 저항 스트립이 형성됩니다. 따라서 입자 크기와 형태는 센서 성능에 중요한 영향을 미칩니다.

페라이트 자석과 희토류 자석-을 모두 AMR 센서 자석으로 사용할 수 있습니다. 따라서 최적의 성능을 얻으려면 AMR 센서에 적합한 자석을 장착해야 합니다.

센서 정확도에 대한 표유 자기장의 영향을 줄이는 데 상대적으로 높은 자기장이 유리하다는 점에 유의해야 합니다. AMR 센서의 기하학적 중심과 자석 사이의 정렬도 매우 중요합니다. 정렬이 잘못되면 전체 시스템에 오류가 발생할 수 있기 때문입니다.

한편, 자석 표면 근처의 자기장 강도는 충분히 균일하지 않으므로 에어 갭은 여러 요인에 의해 결정됩니다.

Hongyu는 다양한 자기 저항 센서 자석을 개발했으며 안정적이고 비용 효율적인 솔루션을 제공하는 것을 목표로 합니다.{0}}

AMR 센서 자석은 다-극 및 방사상 자화를 포함하여 다양한 자화 패턴으로 설계될 수 있습니다.

정확한 신호 감지와 센서 시스템과의 호환성을 보장하려면 적절한 극 설계가 중요합니다. 애플리케이션 요구 사항에 따라 맞춤형 폴 구성을 사용할 수 있습니다.

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